理解2N3055晶体管规格表

理解2N3055晶体管规格表
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2N3055是一种NPN外延基平面晶体管,通常封装在金属Jedec TO-3封装中。基本应用范围包括功率开关、高保真放大、分流调节、形成各种功率电路的输出级。

该设备由于其一些突出的特点而变得特别受欢迎,总结如下:

  • 坚固的设计和包装,使其更不容易受到机械应力在采购和运输。
  • 高集电极到发射极电压处理能力使其高度通用于大多数功率放大应用。
  • 低的基极至发射极电压,使其易于切换,即使是线性集成电路的标称输出电位也可以使用,而不需要加入缓冲级。
  • 强大的输出电流传递能力使其非常适合应用于功率放大器和功率逆变器。
  • 坚固的to -3外壳封装使其容易安装在散热器与舒适的面对面接触,使设备的完美散热,并确保最佳响应。
  • 合理和一致的高频增益使其普遍适用于大多数用途。
  • 高频处理范围,再次使该设备具有广泛的实用功能。
  • 这种器件的多功能性使得它可以很容易地与其他具有不同特性的功率晶体管进行替换,从而使用户不必为自己的特定应用寻找相同的兼容匹配。

让我们在下一节中对上述设备的专门性进行更深入、更精确的研究。

图片由- - - - - -https://www.energies.alba-annuaire.fr/data/tr/2N3055.pdf

2N3055 Datasheet(数据表)解释便于参考

在注意具体数字之前,读者应该首先熟悉2N3055规格表上使用的各种术语。所有电子专业的学生都必须学习以下相关缩略语:

VCEO =指定设备的“集电极到发射极的击穿电压”,或设备可能损坏或被吹坏的最大阈值电压水平。简单地说,对于给定的设备,操作必须在这些规定的水平以下进行和限制。

VCBO =如上所述,它是设备的集电极到基极的击穿电压。

这是发射极到基极的击穿电压。

hFE =直流正向电流增益或在相对较低的基极偏置电压下,将给定信号在集电极上放大到可感知极限的器件的效率。

集电极偏置电流

fT =过渡频率或设备能以最佳方式工作的最大频率频率。

RƟjc =外壳连接处的热承受能力,或设备的最大允许外壳温度,高于此温度设备可能会经历热逃逸情况而永久损坏。该参数为特定设备的散热片计算提供了必要的数据。

PTC =在25度环境温度下外壳的最大允许散热(热量)。同样,它是计算散热器参数的信息。

以下数据为不同规格2N3055的实际数据:

极性= NPN型,

IC = 15安培

VCEO = 60伏,

hFE = 20 (min), 70 (max) @ IC = 4安培,VCE = 4伏,

安全操作区域= 2.87安培× 40 V 1秒脉冲。

fT = 2.5 MHz (min),

RƟjc = 1.52°C/W,

PTC = 115瓦。

现在让我们学习一些与2N3055晶体管相关的重要和有趣的实际操作。

电子安装

安装2N3055散热器

关于如何安装2N3005的查询将包括机械或电子安装程序,我们将在这里讨论它们。

在散热器上安装或安装2N3055当前位置我们都知道散热器是用来从设备中吸收热量的,所以它需要是一个很好的热导体,但又便宜。铝是用于这一目的的最佳材料,也是一种常规接受的电子设备散热器材料。2N3055的安装将涉及以下步骤:

从市场采购或按照规格制造散热片。

按照图中所示的晶体管引线和固定孔的尺寸钻孔。

在2N3055的铅面平面上涂抹一些散热器膏。

将组件放置在钻孔表面,使引线适当地通过钻孔,配合孔与钻孔吻合,表面“粘”紧与散热器粘贴紧密夹在设备和金属之间。

现在只需通过螺母和螺钉将设备固定在同时存在的孔上,并尽可能地拧紧它们。

确保突出的引线清晰地穿过钻孔的中心,并且远离散热器金属。

如果两个设备需要固定在一个共同的散热片上,那么请确保在做上述操作时使用散热片云母套件。然而,如果他们的收集器(身体)是平行的,那么他们可以直接固定在一个普通的散热器金属不使用云母保护绝缘。

并联2N3055晶体管

并联2 n3055晶体管

并联2 n3055晶体管

并联两个或多个2n3055晶体管非常容易;只需将它们的集电极和发射器连接在一起,从集电极接头和发射器接头产生一个共同的终端。每个晶体管的基极也必须连接在一起,但是每个基极端必须包含各自的电阻器(通常计算值相同),电阻器的自由端必须连接在一起以产生一个共同的基极连接点(参见图)。

由于器件的本体构成集电极,因此必须从晶体管的本体装配螺丝获得各自的连接。

用2N3055晶体管制造可变电源

使用2N3055晶体管的可变电压电源

一个非常可靠和高效的可变电压和可变电流电源设计可以使用一个2N3055晶体管结合一对其他有源和无源组件。

整个解释和图表已经在我之前的一篇文章中讨论过了;你可以了解更多在这里.虽然图中的T1显示的是TIP 33晶体管,但它可以很容易地用2N3055晶体管代替,这也将使电路能够承受更高的负载。

参考文献

互补硅功率晶体管n3055.pdf energies.alba-annuaire.fr /数据/ tr / 2

作者自己的亲身经历。

图片-由Swagatam